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还在为系统数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？MT47H64M8SH-25E AIT:H将彻底改变这一局面。这颗512Mb容量的DDR2 SDRAM芯片，能以高达400MHz的速度与您的处理器协同工作，让海量数据的存取变得瞬间完成，显著提升系统响应效率，带给用户行云流水般的操作体验。

它专为要求严苛的应用而生。1.7V~1.9V的低电压运行让您的产品更节能，而-40°C到95°C的宽温支持则确保了它在极端环境下依然稳定可靠。无论是工业控制、网络设备还是其他需要高性能并行存储的场合，它都能轻松胜任，成为您系统中坚实可靠的数据后盾。

• 型号:MT47H64M8SH-25E AIT:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
• MT47H64M8SH-25E AIT:H，Micron（美光）产品一站式供应商。