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M29W128GSH70N6E 零件图片(仅供参考)

M29W128GSH70N6E
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M29W128GSH70N6E 规格参数

还在为嵌入式系统寻找一颗速度快、可靠性高的代码存储核心吗?M29W128GSH70N6E正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的128Mb并行NOR闪存,能为您高效存储并快速执行启动代码、操作系统以及关键应用程序,其70ns的快速访问时间让系统响应更加迅捷。

它支持灵活的x8或x16数据宽度,轻松适配您的硬件设计。宽广的工作电压与工业级温度范围(-40°C ~ 85°C),让它能在各种苛刻环境下稳定运行,极大提升了您终端产品的环境适应性与可靠性。选择它,就是为您的系统注入一颗强劲而稳定的“记忆心脏”。

  • 型号:M29W128GSH70N6E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:56-TSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:128Mb
  • 存储器组织:16M x 8,8M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:70ns
  • 访问时间:70 ns
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:56-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:56-TSOP
  • M29W128GSH70N6E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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M29W128GSH70N6E 基本参数:

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