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PN28F256M29EWHD TR 零件图片(仅供参考)

PN28F256M29EWHD TR
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PN28F256M29EWHD TR 规格参数

还在为嵌入式系统的代码存储与快速执行寻找可靠方案吗?PN28F256M29EWHD TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的256Mb并行NOR闪存,能高效存储您的核心程序代码与关键数据,其快速的读取性能让系统启动和程序执行如虎添翼。

它为您提供稳定、非易失的存储空间,确保数据在断电后依然完好无损。宽广的工作电压与工业级温度范围,让您的产品设计更加灵活,轻松应对各种复杂环境挑战。选择它,就是为您的设备注入一颗强劲、可靠的‘记忆大脑’。

  • 制造商产品型号:PN28F256M29EWHD TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:256Mb(32M x 8,16M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:100ns
  • 访问时间:100ns
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • PN28F256M29EWHD TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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PN28F256M29EWHD TR 基本参数:

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