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还在寻找一颗能扛重任、稳定如山的存储核心吗？NAND512W3A2SNXE正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Mb并行NAND闪存芯片，能以高达50ns的极速访问时间，让您的设备数据读写如飞，无论是存储关键固件、运行日志还是用户数据，都能轻松应对，大幅提升系统响应效率。

它专为严苛环境而生，支持-40°C到85°C的工业级宽温工作范围，并拥有2.7V~3.6V的宽电压适应能力，确保您的产品在各类复杂应用场景下都能稳定可靠地运行。其经典的48-TSOP封装设计，让您的PCB布局和表面贴装生产更加高效便捷。选择NAND512W3A2SNXE，就是为您的产品注入一颗经久耐用、性能卓越的“记忆之心”。

• 型号:NAND512W3A2SNXE
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• NAND512W3A2SNXE，Micron（美光）产品一站式供应商。