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MT40A4G4DVN-062H:E 零件图片(仅供参考)

MT40A4G4DVN-062H:E
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MT40A4G4DVN-062H:E 规格参数

还在为寻找一颗能同时满足高性能、高可靠性与高能效的存储芯片而烦恼吗?MT40A4G4DVN-062H:E正是为您而来的解决方案。这颗美光16Gb并行DDR4闪存,以1.6GHz的高速时钟和超低延迟,让您的系统轻松应对数据洪流,无论是实时计算还是大容量缓存,都能瞬间响应,毫无拖沓。

它采用先进的低电压设计,在1.14V~1.26V下高效运行,显著降低系统整体功耗,让您轻松实现性能与能效的完美平衡。其坚固的78-TFBGA封装和宽温工作范围(0°C ~ 95°C),确保在各种严苛环境下稳定如一,极大提升了您终端产品的可靠性和市场竞争力。选择它,就是为您的核心设备注入一颗强劲、可靠且高效的心脏。

  • 制造商产品型号:MT40A4G4DVN-062H:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:DDR4 SDRAM
  • 零件状态:最後
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:16Gb(4G x 4)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.6GHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:27ns
  • 电压-供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:78-TFBGA
  • MT40A4G4DVN-062H:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT40A4G4DVN-062H:E 基本参数:

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