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还在为复杂应用寻找一颗既能扛住高性能压力，又兼顾能效与可靠性的内存芯片吗？让MT41K1G8RKB-107:P TR来为您解决难题。这颗美光出品的8Gb DDR3L SDRAM，以其933MHz的高速运行和仅1.35V左右的低工作电压，为您的高端网络通信、嵌入式计算等设备提供澎湃且高效的数据吞吐能力。

它采用先进的TwinDie技术和78-TFBGA小型化封装，让您在有限的板级空间内轻松实现高密度内存布局。宽泛的工作温度范围（0°C ~ 95°C）确保了它在各种严苛环境下稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一个值得信赖的性能基石，让您的设计更高效、更可靠。

• 型号:MT41K1G8RKB-107:P TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K1G8RKB-107:P TR，Micron（美光）产品一站式供应商。