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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR 零件图片(仅供参考)

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR 规格参数

当您的智能设备需要同时处理海量应用数据、渲染复杂图形并保持全天候在线时,一颗强大而高效的内存芯片至关重要。MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR正是为此而生。它基于美光先进的Mobile LPDDR4技术,拥有4Gb(128M x 32)的存储容量,能以高达1600MHz的速度与您的处理器协同工作,瞬间响应您的每一个指令,彻底告别卡顿与等待。

这颗芯片的卓越之处在于其出色的能效表现。1.1V的低电压供电,让它在释放强劲性能的同时,大幅降低系统功耗,直接延长您设备的电池续航时间。其表面贴装的200-WFBGA超薄封装,不仅节省主板空间,更确保了在-40°C至85°C的严苛环境下依然稳定可靠。选择它,就是为您的移动设备、嵌入式系统或物联网终端注入一颗持久、高效且值得信赖的“性能引擎”。

  • 型号:MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:128M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR 基本参数:

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