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还在为嵌入式系统或工业设备寻找一颗稳定可靠的内存心脏吗？MT47H512M8WTR-25E:C正是您期待的答案。这颗美光出品的4Gb DDR2 SDRAM芯片，能以高达400MHz的速度高效处理数据，其快速的访问时间和稳定的并行接口，让您的设备运行如飞，轻松应对实时控制、数据缓冲等关键任务。

它采用紧凑的63-TFBGA封装，节省宝贵的板卡空间，1.8V左右的工作电压更有助于降低整体系统功耗。无论是升级现有设计还是开发长生命周期产品，选择这颗经过市场广泛验证的芯片，都能让您获得出色的性能与极高的可靠性，事半功倍。

• 型号:MT47H512M8WTR-25E:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（9x11.5）
• MT47H512M8WTR-25E:C，Micron（美光）产品一站式供应商。