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还在为嵌入式系统或网络设备寻找一颗“扛得住”的核心内存吗？MT47H32M16HR-25E L:G TR正是您的理想之选。这颗美光出品的512Mb DDR2 SDRAM芯片，能以高达400MHz的速度高效处理数据，其快速的访问时间（仅400ps）和稳定的并行接口，让您的设备在应对实时任务和海量数据流时，依然能够游刃有余，彻底告别卡顿与延迟。

它专为严苛环境而生，1.8V左右的低功耗设计有助于延长设备续航，而0°C至85°C的宽工作温度范围，则让它能从容应对从室内服务器到户外工业设备的多样化挑战。采用紧凑的84-TFBGA封装，非常适合空间受限的高密度PCB板设计，帮助您轻松实现产品的小型化与高性能的统一。

• 型号:MT47H32M16HR-25E L:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H32M16HR-25E L:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。