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还在寻找一颗能扛重任、值得信赖的存储芯片吗？NAND16GW3B6DPA6E就是您的答案。这颗由美光科技打造的16Gb并行NAND闪存，能为您的大容量数据存储需求提供坚实后盾。其2G x 8的存储结构，搭配25ns的高速访问性能，让您的系统能够轻松、高效地处理海量信息流。

无论是工业控制、车载电子还是网络通信设备，它宽广的-40°C至85°C工作温度范围和稳定的2.7V~3.6V电压适应能力，都能确保在各种严苛环境下持续可靠运行。选择它，就是选择了一个经过市场长期验证的成熟解决方案，让您的产品设计更稳健，生产更安心。

• 型号:NAND16GW3B6DPA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:114-LFBGA（12x16）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLSH 16GBIT PARALLEL 114LFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:2G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:25ns
• 访问时间:25 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:114-LFBGA
• 供应商器件封装:114-LFBGA（12x16）
• NAND16GW3B6DPA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。