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MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR 零件图片(仅供参考)

MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR
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MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR 规格参数

还在寻找能承载您创意与数据的可靠伙伴吗?MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR就是您理想的答案。这颗由美光科技打造的64Gb(8G x 8)NAND闪存芯片,采用高效的并联接口,能为您的高速设备提供稳定、海量的非易失性存储空间,轻松应对从程序代码到多媒体内容的各类数据存储需求。

它工作在2.7V~3.6V的宽电压范围,并具备0°C~70°C的工业级工作温度,让您的产品设计更加灵活,适应从室内到户外的多种应用环境。采用表面贴装的48-TFSOP紧凑封装,帮助您高效利用宝贵的PCB空间,实现产品的小型化与高性能的完美统一。

  • 制造商产品型号:MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLSH 64GBIT PARALLEL 48TSOP I
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:64Gb(8G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
  • MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR 基本参数:

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