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MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR
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MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR 规格参数

您是否正在寻找一颗能瞬间唤醒设备潜能、让复杂应用运行如飞的核心存储器?MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的32Gb大容量LPDDR4 DRAM,以高达1866MHz的时钟频率,为您的高速计算设备提供海量数据的高速通道,轻松应对多任务处理、高清媒体播放及即时AI推理等苛刻需求。

它采用先进的低功耗设计,工作电压仅1.1V,在提供强劲性能的同时,显著优化系统能效,让您的移动设备续航更持久。其宽温工作特性(-30°C ~ 85°C)确保了在各种极端环境下的稳定性和可靠性,是打造坚固耐用工业设备与智能车载系统的理想选择。选择它,就是为您的产品注入高效、稳定且节能的强大内存动力。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR 基本参数:

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