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还在为系统内存性能不足而烦恼吗？MT49H32M18SJ-25E:B TR正是您期待的答案。这颗美光出品的576Mb并行DRAM，凭借400MHz的高时钟频率和仅15ns的快速访问时间，能瞬间提升您的数据吞吐效率，让复杂应用运行如飞。

它采用紧凑的144-TFBGA表面贴装封装，帮助您轻松实现高密度电路板设计。1.7V-1.9V的低电压运行让您有效控制系统功耗，而0°C至95°C的宽温工作范围则确保了在各种环境下都能稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、强劲且值得信赖的数据处理核心。

• 型号:MT49H32M18SJ-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H32M18SJ-25E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。