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还在为您的嵌入式设备寻找一颗可靠的数据存储核心吗？NAND04GW3C2BN6E就是您的高效答案。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存芯片，能够轻松为您存储海量程序代码、用户数据或系统日志，其25ns的快速访问时间让数据读写流畅无阻，显著提升系统响应速度。

更令人放心的是，它拥有2.7V-3.6V的宽电压适应能力和-40°C至85°C的工业级宽温范围，让您的产品无论是面对严苛的工业环境还是多变的户外气候，都能保持稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一个经久耐用、值得信赖的数据基石。

• 型号:NAND04GW3C2BN6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:25ns
• 访问时间:25 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• NAND04GW3C2BN6E，Micron（美光）产品一站式供应商。