我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT41K512M8RH-125:E TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

当您的设计需要一颗强大而高效的“数据中转站”时，MT41K512M8RH-125:E TR正是您值得信赖的伙伴。这颗来自美光的4Gb DDR3L SDRAM芯片，能以高达800MHz的速度运行，为您的高速处理器提供充沛的数据带宽，轻松应对实时数据处理、高清视频缓冲等密集型任务，让系统运行如行云流水般顺畅。

更令人心动的是，它在全力奔跑时却格外“省粮”。其DDR3L低电压技术（1.283V-1.45V），在提供卓越性能的同时，显著降低了功耗与发热，直接助力延长终端设备的续航时间，并简化您的散热设计。无论是嵌入到网络设备、工业控制器，还是数字显示系统中，它都能在0°C至95°C的宽温范围内稳定工作，确保您的产品在各种环境下都表现出色，可靠耐用。

• 型号:MT41K512M8RH-125:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-125:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。