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还在为图形处理或高速计算应用寻找可靠的内存解决方案吗？MT61M256M32JE-12 N:A TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的8Gb GDDR6并行RAM，以其1.5GHz的高时钟频率和256M x 32的配置，为您提供澎湃的数据带宽，确保核心处理器永不“饥饿”，轻松应对最苛刻的实时渲染与数据密集型任务。

它采用先进的工艺，工作电压低至1.21V~1.29V，在释放极致性能的同时，有效管理功耗与发热。其180-TFBGA表面贴装封装设计紧凑，让您能在有限的空间内实现高性能布局。选择它，就是选择高效、稳定与前瞻性，让您的产品在速度竞赛中始终领先一步。

• 型号:MT61M256M32JE-12 N:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:180-FBGA（12x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC RAM 8GBIT PAR 180FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:RAM
• 技术:SGRAM - GDDR6
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.5 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.21V ~ 1.29V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:180-TFBGA
• 供应商器件封装:180-FBGA（12x14）
• MT61M256M32JE-12 N:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。