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还在为嵌入式系统或工业设备寻找一颗性能与稳定兼备的“内存基石”吗？MT41K256M16V90BWC1就是您期待的答案。这颗美光出品的4Gb DDR3L SDRAM芯片，采用高效的256M x 16并行架构，能为您的高速处理器提供充沛的数据带宽，轻松应对实时数据处理、大容量缓冲等关键任务。

它更懂您的系统需求。1.35V的低电压设计，显著降低功耗与发热，让您的设备运行更高效、更凉爽；宽广的0°C至95°C工作温度范围，则确保了从室内到工业严苛环境的全天候稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的可靠承诺。

• 制造商产品型号：MT41K256M16V90BWC1
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR3L
• 存储容量：4Gb（256M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.283V ~ 1.45V
• 工作温度：0°C ~ 95°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT41K256M16V90BWC1，Micron（美光）产品一站式供应商。