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MT53E256M32D2DS-053 AUT:B 零件图片(仅供参考)

MT53E256M32D2DS-053 AUT:B
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MT53E256M32D2DS-053 AUT:B 规格参数

还在为设备的内存性能瓶颈而烦恼吗?MT53E256M32D2DS-053 AUT:B正是为您破局而来的利器。这颗由美光科技打造的8Gb Mobile LPDDR4 DRAM,以高达1.866GHz的疾速时钟,为您的高端移动设备、车载系统或工业计算平台注入澎湃数据吞吐能力,让多任务运行、高清流媒体播放和实时数据处理变得无比轻松流畅。

它不仅能为您提供强大的性能,更懂得如何高效节能。双电压(0.6V/1.1V)设计在爆发性能的同时,显著优化功耗,直接助力延长终端设备的续航。其坚固的200-WFBGA封装和宽达-40°C至125°C的工作温度范围,确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行,极大提升了您产品的可靠性与适用范围。选择它,就是选择了一个让您设计更省心、产品更具竞争力的高性能内存核心。

  • 型号:MT53E256M32D2DS-053 AUT:B
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:256M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • MT53E256M32D2DS-053 AUT:B,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT53E256M32D2DS-053 AUT:B 基本参数:

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