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您正在寻找一颗能大幅提升系统数据吞吐能力的存储芯片吗？MT46V128M4TG-5B:F正是您理想的答案。这颗美光512Mb DDR SDRAM，凭借其128M x 4的组织结构和200MHz的时钟频率，能为您提供高达700ps的极速数据访问体验，让您的应用程序运行如飞，轻松应对海量数据的实时读写挑战。

它采用高效的并联接口和2.5V~2.7V低电压工作，在保证强劲性能的同时，有效降低了系统功耗。紧凑的66-TSSOP封装更适合高密度板卡设计，帮助您节省空间。无论是用于加速网络设备的数据包处理，还是增强工业控制器的实时响应能力，它都能让您的设计更加高效、可靠。

• 制造商产品型号：MT46V128M4TG-5B:F
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.5V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：66-TSSOP (szeroko 0，400，10，16mm)
• MT46V128M4TG-5B:F，Micron（美光）产品一站式供应商。