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您正在寻找一颗能同时驾驭高性能与低功耗的移动内存解决方案吗？MT53E128M32D2DS-053 AUT:A正是您的理想之选。这颗4Gb容量的LPDDR4 DRAM，凭借1.866GHz的超高时钟频率和32位宽接口，能为您带来惊人的数据吞吐带宽，轻松应对4K视频处理、高速连拍、复杂AI推理等苛刻任务，让您的应用体验无比流畅。

更令人振奋的是，它在提供澎湃动力的同时，还极为高效。0.6V/1.1V的双电压设计大幅降低了整体功耗，显著延长移动设备的续航时间。其宽广的-40°C至125°C工作温度范围，确保了从消费电子到汽车、工业等各类严苛环境下的稳定性和可靠性。选择它，就是为您的产品注入了兼具速度、能效与坚韧的强大基因。

• 型号:MT53E128M32D2DS-053 AUT:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E128M32D2DS-053 AUT:A，Micron（美光）产品一站式供应商。