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还在为系统数据带宽不足而困扰吗？MT46V32M16TG-6T:F这颗512Mb DDR SDRAM芯片，就是您提升性能的得力助手。它能以高达167MHz的速度高效处理数据，700ps的极速访问时间让数据读取几乎无需等待，显著加速您的应用程序运行。

凭借其32M x 16的并行架构和仅15ns的写周期时间，它能轻松应对大量数据的实时读写需求，无论是作为主程序运行空间还是高速数据缓冲区，都能让您的系统运行更流畅、响应更迅捷。其宽电压范围和工业级温度适应性，更能确保在各种环境下稳定工作，为您产品的可靠性保驾护航。

• 型号:MT46V32M16TG-6T:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V32M16TG-6T:F，Micron（美光）产品一站式供应商。