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当您的设计需要一颗成熟、稳健且性能经过千锤百炼的内存芯片时，MT41K1G8TRF-125 IT:E TR就是您值得信赖的伙伴。它基于美光先进的DDR3L技术，提供高达8Gb（1G x 8）的存储容量和800MHz的时钟频率，能以13.5ns的快速访问时间处理数据，让您的系统响应更加敏捷流畅。

这颗芯片的卓越之处在于其宽广的适应性。1.35V的低电压核心不仅助力您打造更节能的产品，其-40°C至95°C的宽温工作范围更是为工业、汽车及网络通信等严苛环境量身定制。表面贴装的78-TFBGA封装形式，让集成变得轻松高效，完美适配高密度PCB设计。

选择它，就是选择了一份经过时间验证的可靠性。它能稳定承载您的关键数据，为各类嵌入式应用提供持久动力，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的稳定性和一致性赢得长久信赖。

• 型号:MT41K1G8TRF-125 IT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9.5x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:1G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9.5x11.5）
• MT41K1G8TRF-125 IT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。