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还在为系统设计中的存储瓶颈而烦恼吗？MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D这颗来自美光科技的创新芯片，将彻底改变您的看法。它将4Gb NAND Flash的持久存储能力与4Gb LPDDR2 DRAM的高速运行特性完美结合，为您提供了一个“二合一”的终极存储方案，让您的设备既能快速处理数据，又能安全保存信息。

凭借高达533MHz的并行接口和1.8V的低功耗设计，这颗芯片能让您的应用运行如飞，同时显著优化整体能效。无论您是在开发要求严苛的工业设备、智能汽车电子还是高端消费产品，它都能让您轻松应对海量数据读写与高速运算的挑战，大幅提升系统响应速度和可靠性，为最终用户带来极致流畅的体验。

• 型号:MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 533MHZ
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:4Gb（NAND），4Gb（LPDDR2）
• 存储器组织:256M x 16（NAND），128M x 32（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D，Micron（美光）产品一站式供应商。