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还在为系统卡顿、数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT41K512M8RH-125 V:E TR为您彻底解决！这颗美光出品的4Gb DDR3L SDRAM芯片，就像为您设备配备的“超速缓存大脑”，能以高达800MHz的速度流畅处理海量数据，13.75ns的极速访问时间让每一次读写都瞬间完成，显著提升整体系统响应效率。

它采用先进的低电压技术（1.283V~1.45V），在为您提供强劲性能的同时，更能有效降低功耗，延长设备续航或减少散热压力。其512M x 8的并行架构和稳定的工业级温度范围（0°C ~ 95°C）支持，让您能轻松将其集成到网络设备、工业控制、嵌入式系统等各种要求严苛的应用中，构建既高效又可靠的硬件平台。

• 型号:MT41K512M8RH-125 V:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-125 V:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。