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MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
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MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E 规格参数

还在寻找能同时引爆设备性能与续航的终极内存方案吗?MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E就是您的答案。这颗32Gb容量的LPDDR4移动DRAM,以高达1866MHz的速度疾驰,为您的高端移动设备注入澎湃动力,让多任务处理、高清视频流和大型游戏加载都变得丝滑流畅。

更妙的是,它能在1.1V的低电压下高效运行,显著降低系统功耗,直接帮助您延长产品的电池续航,让用户享受更持久的卓越体验。其坚固的设计支持宽温工作,确保在各种环境下稳定可靠。选择它,就是为您的产品选择了高效、节能且值得信赖的性能核心。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 556WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:556-WFBGA
  • MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E 基本参数:

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