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还在为嵌入式系统的内存选择权衡利弊吗？让MT45W1MW16BDGB-701 WT TR为您提供一站式的高效解决方案。这颗16Mb并行接口PSRAM芯片，能为您带来如同SRAM般的简易接口与高速访问体验（访问时间仅70ns），同时拥有接近DRAM的成本优势，轻松实现系统性能与成本的最佳平衡。

它能在1.7V至1.95V的低电压下稳定工作，显著降低您的整体系统功耗，并支持-30°C至85°C的宽温工作范围，确保您的设备在各种苛刻环境中都能可靠运行。无论是作为主处理器的高速数据缓冲区，还是存储临时配置与状态信息，它都能让您的设计更简洁、响应更迅捷。

• 型号:MT45W1MW16BDGB-701 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:16Mb
• 存储器组织:1M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8）
• MT45W1MW16BDGB-701 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。