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您是否正在寻找一颗能瞬间提升设备响应速度与多任务处理能力的内存芯片？MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR正是您的答案。这颗美光出品的32Gb LPDDR4移动DRAM，以高达1866MHz的速度和512M x 64的位宽，为您的高速处理器提供充沛的数据带宽，让应用加载、内容切换和复杂计算都变得行云流水。

更令人心动的是，它在提供强大性能的同时，仅需1.1V低电压供电，能显著优化设备的整体功耗，延长电池续航。其宽广的-30°C至85°C工作温度范围，确保了在各种环境下的稳定运行。选择它，就是为您的移动设备、嵌入式系统或高性能计算模块注入一颗高效、可靠的内存核心，让您的产品在激烈的市场竞争中轻松赢得速度与能效的双重优势。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1866MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT53D512M64D4BP-046 WT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。