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MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR 零件图片(仅供参考)

MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR
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MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR 规格参数

您是否正在为您的智能汽车平台、高端平板或 rugged 工业设备寻找一颗既快又稳的内存核心?MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR就是您的答案。这颗由美光科技出品的8Gb LPDDR4移动DRAM,能以高达2.133GHz的速度处理数据,瞬间响应系统指令,让您的应用运行如飞,彻底告别卡顿与延迟。

它不仅仅追求速度,更注重在恶劣环境下的坚如磐石。符合AEC-Q100汽车级标准,并能在-30°C到85°C的极端温度范围内稳定工作,确保您的产品无论面对严寒酷暑还是持续高负载,都表现出一致的可靠性。其紧凑的200球WFBGA封装,让您能更高效地利用板卡空间,实现更精巧、更强大的产品设计。

选择它,意味着您为产品选择了一位全天候、高性能的“数据管家”。它将复杂的数据吞吐任务化繁为简,让您能更专注于核心功能的创新与优化,轻松打造出领先市场一代的卓越设备。

  • 型号:MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:512M x 16
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR 基本参数:

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