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还在为嵌入式系统寻找一颗“既快又稳”的核心存储器吗？MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1Gb NAND闪存芯片，采用高效的并联接口，能为您提供高速的数据读写通道，让您的设备处理海量信息时轻松自如，响应如飞。

它能在1.7V至1.95V的低电压下稳定工作，显著帮助您降低系统整体功耗，延长设备续航。其工业级温度范围（0°C ~ 70°C）和可靠的卷带包装，确保了在各种严苛环境下的长期稳定性和生产便利性。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、耐用且省心的数据存储核心。

• 制造商产品型号：MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Gb（64M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
• MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。