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MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR
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MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR 规格参数

还在为设备运行卡顿、多任务处理力不从心而烦恼吗?MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR就是您期待的答案。这颗美光科技的32Gb LPDDR4移动内存,能以高达1600MHz的速度疾速响应,为您的高性能移动设备、平板电脑、嵌入式系统提供充沛的数据带宽,让复杂的图形渲染、AI推理和实时数据处理变得前所未有的流畅。

它采用低至1.1V的供电电压和高效的封装设计,在为您带来强劲性能的同时,显著优化系统功耗,轻松延长电池续航。其宽温特性(-30°C ~ 85°C)更能确保设备在各种环境下稳定可靠地运行。选择它,就是选择为您的产品注入一颗强大、高效且省电的“数据心脏”。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 1600MHZ 432VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1600MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:432-VFBGA
  • MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M64D4NW-062 WT:D TR 基本参数:

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