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还在为您的汽车电子系统寻找一颗既快又稳的“记忆大脑”吗？MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR正是您期待的答案。这颗美光出品的8Gb Mobile LPDDR4 DRAM，能以高达2.133GHz的时钟频率疾速响应，轻松应对车载信息娱乐、ADAS等应用对大数据量处理的严苛要求，让您的系统运行如飞，用户体验瞬间提升。

它专为汽车而生，通过了AEC-Q100认证，并支持-40°C至105°C的极端工作温度。这意味着无论严寒酷暑，它都能保持稳定高效的运行，为您产品的长期可靠性保驾护航。其200-WFBGA的紧凑封装，更能帮助您优化电路板设计，节省宝贵空间。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠与持久的生命力。

• 型号:MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:512M x 16
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。