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还在为设备运行卡顿、多任务处理乏力而烦恼吗？MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR就是您期待的答案。这颗16Gb容量的LPDDR4移动DRAM，能以高达2133MHz的速度与您的处理器高效对话，瞬间提升数据吞吐能力，让应用程序加载更快，画面切换更丝滑，彻底告别等待。

它专为追求高性能与低功耗平衡的现代设备设计。1.1V的低电压供电，让您的移动设备或嵌入式系统在获得强劲动力的同时，依然保持出色的能效表现，轻松延长续航。其宽广的-30°C至105°C工作温度范围，更确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作，是您打造耐用、高性能产品的理想内存解决方案。

• 制造商产品型号：MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 16GBIT 2133MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：16Gb（256M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。