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还在为嵌入式系统寻找一颗心脏般可靠的数据存储核心吗？NAND01GR3B2BZA6E正是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1Gb并行NAND闪存芯片，专为要求严苛的应用而设计，能让您的设备在-40°C到85°C的极端温度下依然稳定运行，数据存取快至30ns，确保系统响应如闪电般迅捷。

它采用高效的并联接口和1.7V~1.95V的低电压设计，在为您提供128M x 8位充裕存储空间的同时，显著优化了系统功耗。无论是存储关键固件、用户配置还是运行日志，它都能轻松胜任，让您的工业控制、汽车电子或网络通信设备高效又省心。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的性能保障。

• 型号:NAND01GR3B2BZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:30ns
• 访问时间:30 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• NAND01GR3B2BZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。