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还在为嵌入式系统寻找一颗‘扛得住’的存储芯吗？MT47H32M16NF-25E AUT:H就是您期待的答案。这颗美光出品的512Mb DDR2 SDRAM，能以高达400MHz的速度为您高效处理数据流，其仅15ns的写周期和400ps的访问时间，确保指令响应迅如闪电，让您的系统运行无比流畅。

更值得一提的是，它专为严酷环境打造。1.8V左右的核心电压兼顾了性能与能效，而其真正的王牌在于-40°C到125°C的宽温工作能力。这意味着无论是车载电子面临的严寒酷暑，还是工业设备遭遇的高温挑战，它都能稳定如一，彻底免除您的后顾之忧。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的可靠性承诺。

• 型号:MT47H32M16NF-25E AUT:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H32M16NF-25E AUT:H，Micron（美光）产品一站式供应商。