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它采用先进的低功耗设计，工作电压仅1.1V，在提供强大32Gb（1G x 32）存储容量的同时，显著优化系统功耗，轻松延长设备的电池续航。其紧凑的200-VFBGA封装和宽温工作特性（-30°C ~ 85°C），让您能自信地将其部署在从超薄智能手机到严苛的工业物联网设备等各种空间受限、环境复杂的场景中，为您的产品注入可靠且高效的核心竞争力。

• 型号:MT53D1024M32D4DT-053 WT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-VFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:1G x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-VFBGA
• 供应商器件封装:200-VFBGA（10x14.5）
• MT53D1024M32D4DT-053 WT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。