我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT41K512M8V00HWC1-N002现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起系统数据交换重任、稳定又省电的内存芯片吗？MT41K512M8V00HWC1-N002正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的4Gb DDR3L SDRAM，采用高效的并行接口，能为您的高速处理器提供充沛的数据带宽，让您的设备运行如飞，轻松处理多任务与大数据流。

更令人心动的是它的高能效表现。其1.283V~1.45V的低工作电压，显著降低了系统功耗，帮助您设计出更节能、发热更少的产品。同时，它具备0°C至95°C的宽温工作能力，确保在严苛环境下依然稳定可靠，是工业控制、网络设备及高端嵌入式应用的理想内存伙伴，让您的产品设计无后顾之忧。

• 制造商产品型号：MT41K512M8V00HWC1-N002
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR3L
• 存储容量：4Gb（512M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.283V ~ 1.45V
• 工作温度：0°C ~ 95°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT41K512M8V00HWC1-N002，Micron（美光）产品一站式供应商。