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还在为寻找既能海量存储又能高速响应的核心存储器而烦恼吗？MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的NAND闪存芯片，拥有高达1.125Tb（144G x 8）的惊人容量，让您可以轻松存储海量应用数据、高清媒体内容或复杂的系统文件，彻底告别存储空间焦虑。

同时，其并联接口与333MHz的时钟频率协同工作，能为您提供迅猛的数据吞吐能力，大幅缩短系统等待时间，让数据处理变得前所未有的高效流畅。无论是用于加速企业级服务器，还是提升高端消费电子产品的用户体验，它都能成为您系统中可靠且强大的数据基石。

• 制造商产品型号：MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.125T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.125Tb（144G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
• MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。