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MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR 零件图片(仅供参考)

MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR
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MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR 规格参数

您正在寻找一颗能同时引爆速度与能效的内存核心吗?MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR正是为您而来。这颗美光LPDDR4芯片拥有16Gb的大容量和1600MHz的高频率,能让您的设备在处理复杂任务、运行大型应用或进行多媒体渲染时,享受到疾风骤雨般的数据读写体验,彻底告别卡顿与等待。

更重要的是,它采用了先进的移动低功耗设计,工作电压仅1.1V,能显著延长电池供电设备的续航时间。其宽温特性(-30°C ~ 85°C)确保了在严苛环境下的稳定表现。无论是打造旗舰手机、高性能平板,还是智能汽车与工业设备,它都能让您的设计轻松实现高性能与低功耗的完美平衡,高效驱动创新。

  • 制造商产品型号:MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb(512M x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1600MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:200-WFBGA
  • MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR 基本参数:

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