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更令人心动的是，它在1.1V的低电压下高效工作，能显著降低系统功耗，直接延长设备的电池续航时间。其宽广的-40°C至95°C工作温度范围，则确保了从消费电子产品到工业级设备在各种环境下的稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了性能、能效与可靠性的三重保障，让您轻松打造出更具市场竞争力的终端设备。

• 型号:MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（11x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:512M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（11x14.5）
• MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。