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MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E TR
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MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E TR 规格参数

您正在寻找一颗能同时满足大容量、高可靠性和紧凑设计需求的存储芯片吗?MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E TR正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的256Gb MLC NAND闪存,采用先进的32Gx8架构,能为您提供高达32GB的海量存储空间,让您的设备轻松容纳海量应用、高清媒体和重要数据。

它采用节省空间的132-VBGA封装和表面贴装技术,非常适合空间受限的现代电子设备,如超薄笔记本、高端平板和嵌入式系统。无论是加速您的系统启动,还是确保多任务处理时的流畅数据交换,它都能高效完成任务,显著提升终端产品的整体响应速度和用户体验。

  • 制造商产品型号:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC MLC 256G 32GX8 VBGA 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:*
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:-
  • 存储器格式:-
  • 技术:-
  • 存储容量:-
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E TR 基本参数:

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