我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能同时引爆性能与能效的内存解决方案吗？MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR就是您的理想答案。这颗美光出品的24Gb LPDDR4移动DRAM，能以高达1866MHz的速度疾速处理数据，同时仅需1.1V超低电压供电，完美诠释了何为“高性能低功耗”，让您的移动设备或嵌入式系统轻松应对多任务与高强度运算。

它能为您的产品带来前所未有的流畅体验。无论是让智能手机的游戏画面更丝滑、让AI边缘计算设备的响应更迅捷，还是确保车载系统在复杂温度环境下稳定运行，这颗芯片都能提供强大、可靠的内存支持。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、冷静且容量充沛的数据引擎。

• 制造商产品型号：MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 24GBIT 1866MHZ 366WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：24Gb（384M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1866MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：366-WFBGA
• MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。