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MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 零件图片(仅供参考)

MT29F2G08ABBGAM79A3WC1
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MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 规格参数

您正在寻找一颗能扛起系统“记忆”重任的核心存储芯片吗?MT29F2G08ABBGAM79A3WC1正是您理想的答案。这颗来自美光科技的2Gb并行NAND闪存,专为需要可靠、非易失性数据存储的应用而设计。

它能让您的设备轻松容纳庞大的固件程序、用户设置或运行日志,其稳定的性能确保数据在断电后依然完好无损。凭借其并行接口和宽电压(1.7V~1.95V)支持,它能高效融入您的设计,简化电路布局,助力您的产品在消费电子、工业控制等领域实现更流畅、更可靠的运行体验。

  • 型号:MT29F2G08ABBGAM79A3WC1
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:模具
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL DIE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:256M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
  • MT29F2G08ABBGAM79A3WC1,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 基本参数:

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