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还在为关键应用寻找一颗“扛得住”的存储芯片吗？MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E就是您的高效解决方案。这颗来自美光科技的2Gb并行NAND闪存，专为汽车电子和工业环境设计，它能为您安全存储海量程序代码与运行数据，确保系统在-40°C到105°C的严苛温度下稳定运行，让您的产品无惧挑战。

它采用先进的63-VFBGA封装，节省空间且易于生产贴装。1.7V~1.95V的低电压工作范围有助于优化系统功耗。选择它，意味着您选择了AEC-Q100认证的可靠性，让您的设备数据存取既快速又安心，轻松构建更坚固、更值得信赖的智能系统。

• 型号:MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。