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还在寻找能同时满足高性能与低功耗需求的移动内存方案吗？MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR就是您的理想答案。这颗来自美光科技的12Gb LPDDR4移动DRAM，以高达1600MHz的速度和384M x 32的位宽，为您的高速计算设备铺就了一条数据高速公路，让应用加载、多任务处理变得无比迅捷。

它不仅仅追求速度，更注重能效。1.1V的低工作电压让它在全力输出性能的同时，大幅降低系统功耗，轻松延长手机、平板等便携设备的电池续航。其紧凑的200-WFBGA封装，让您能在有限的空间内集成大容量内存，助力打造更轻薄、更强大的终端产品。

• 型号:MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 12GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:12Gb
• 存储器组织:384M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。