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还在为系统带宽瓶颈而烦恼吗？让MT49H16M36BM-25E:B TR为您打开数据洪流的大门！这颗美光出品的576Mb并行DRAM，凭借16M x 36的宽位架构和高达400MHz的运行频率，能轻松应对海量数据的并行读写需求，让您的处理器不再“等待”，极大提升整体系统吞吐效率。

它采用先进的144-TFBGA小型化封装，节省宝贵的板级空间，同时支持0°C至95°C的宽温工作范围，确保在严苛的工业或通讯环境中稳定运行。1.8V左右的核心电压，在提供强劲性能的同时实现了优异的能效比。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲、可靠且高效的数据处理核心。

• 型号:MT49H16M36BM-25E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-25E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。