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还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片，拥有高达167MHz的时钟频率和并联接口，能为您提供疾风骤雨般的数据读写体验，轻松应对海量数据的高速处理需求。

它采用先进的非易失存储技术，即使在断电情况下也能安全保存您的宝贵数据。其2.7V~3.6V的宽电压范围和0°C~70°C的工作温度，确保了在各种复杂供电环境和应用场景下的稳定运行与高可靠性。选择它，就是为您的服务器、网络设备或高端消费电子产品注入一颗强劲、可靠的“数据心脏”，让您的产品性能表现从此大不相同。

• 制造商产品型号：MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
• MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。