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您正在寻找一颗能扛重任、稳定存储核心代码的闪存芯片吗？M29W160EB70ZA6F TR正是您的理想伙伴。这颗由美光科技打造的16Mb并行NOR闪存，能以70ns的高速让您的系统快速访问关键指令与数据，其2.7V-3.6V的宽电压适应性与-40°C至85°C的工业级宽温范围，确保它在各种严苛环境中都能稳定运行，为您的工业控制、汽车电子等应用提供坚实保障。

它提供灵活的2M x 8位或1M x 16位组织架构，让您的系统设计更加游刃有余。表面贴装的48-TFBGA封装节省了宝贵的板卡空间。选择它，意味着您选择了一个久经考验、性能可靠的存储解决方案，让您的产品开发更高效，系统运行更安心。

• 型号:M29W160EB70ZA6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:16Mb
• 存储器组织:2M x 8，1M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
• M29W160EB70ZA6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。