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您正在寻找一颗能在严酷环境中依然疾速响应的核心存储器吗？MT47H32M16NF-25E AAT:H TR正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的512Mbit DDR2 SDRAM，拥有32M x 16的存储架构，能以高达400MHz的速度与您的处理器高效协同，让您的系统数据处理如行云流水般顺畅。

它专为 demanding 应用而设计，1.8V的工作电压助力您实现高性能与低功耗的完美平衡。更值得一提的是，其通过AEC-Q100认证，支持-40°C至105°C的宽温工作范围，让您的汽车电子或工业控制设备无惧环境挑战，稳定可靠地持续运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT47H32M16NF-25E AAT:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H32M16NF-25E AAT:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。