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MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR 零件图片(仅供参考)

MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR
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MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR 规格参数

还在为设备的多任务处理卡顿而烦恼吗?MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR将彻底改变您的体验。这颗美光16Gb LPDDR4移动DRAM,以高达1866MHz的速度和强大的256M x 64位宽,为您的高速计算设备注入澎湃动力,让应用程序加载瞬间完成,复杂操作行云流水。

它采用先进的低功耗设计,在仅1.1V的电压下高效运行,能显著提升您设备的电池续航能力。同时,其坚固的品质支持-30°C到85°C的宽温工作,确保无论是炎夏还是寒冬,您的产品都能稳定可靠地运行。选择它,就是为您的智能手机、平板电脑或嵌入式系统选择了一个高效、节能且值得信赖的性能核心。

  • 制造商产品型号:MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 1866MHZ FBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb(256M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1866MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR 基本参数:

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