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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的“核心大将”吗？MT29F4G08ABADAWP-AT:D就是您期待的答案。这颗美光出品的4Gb并行NAND闪存芯片，能为您的大容量非易失性存储需求提供坚实底座。其512M x 8的存储结构，让数据存取高效有序；2.7V~3.6V的宽电压支持，则让它在各种供电环境下都能稳定工作，极大提升了您系统设计的灵活性与可靠性。

它采用紧凑的48-TFSOP表面贴装封装，能轻松融入您的高密度PCB布局，节省宝贵空间。无论是用于存储设备固件、用户数据还是系统日志，它都能确保信息在断电后依然完好无损。选择它，就是选择让您的产品拥有一个经久耐用、性能出色的数据仓库，轻松应对各种复杂应用场景的挑战。

• 型号:MT29F4G08ABADAWP-AT:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F4G08ABADAWP-AT:D，Micron（美光）产品一站式供应商。